Компания Samsung объявила о двух новых картах памяти microSD: SD Express microSD на 256 ГБ, скорость которой в четыре раза превышает нынешние карты, и microSD UHS-1 емкостью 1 ТБ на основе новейшей технологии V-NAND.
Компания Samsung объявила о двух новых картах памяти microSD: SD Express microSD на 256 ГБ, скорость которой в четыре раза превышает нынешние карты, и microSD UHS-1 емкостью 1 ТБ на основе новейшей технологии V-NAND.
Компания приступила к тестированию карты памяти SD Express microSD на 256 ГБ со скоростью считывания данных до 800 МБ/с — в 1,4 раза быстрее, чем у SATA SSD (до 560 МБ/с) и более чем в четыре раза быстрее, чем у традиционных карт памяти UHS-1 (до 200 МБ/с), говорится в пресс-релизе.
Чтобы обеспечить стабильную производительность и надежность для малого формфактора, технология Dynamic Thermal Guard (DTG) поддерживает оптимальную температуру карты SD Express microSD даже во время длительных сеансов использования.
SD Express на 256 ГБ будет доступна для приобретения позже в этом году.
microSD UHS-1 содержит восемь уровней V-NAND 8-го поколения емкостью 1 ТВ, что раньше было возможно только на SSD. Как сообщает компания, новая карта прошла строжайшее тестирование и обеспечивает работу даже в сложных условиях, благодаря таким характеристикам, как защита от воды, экстремальных температур, защита от падений и износа, а также защита от рентгеновского излучения и магнитного поля.
Карта microSD UHS-1 на 1 ТВ будет выпущена в третьем квартале этого года.
«Благодаря двум новым картам памяти microSD компания Samsung предложила эффективные решения для удовлетворения растущих потребностей мобильных вычислений и встроенного искусственного интеллекта», — сказал Хангу Сон, вице-президент подразделения Memory Brand Product компании Samsung Electronics. «Несмотря на крошечный размер, эти карты памяти обеспечивают мощную производительность и емкость, подобную твердотельным накопителям, чтобы помочь пользователям получить больше требовательных современных и будущих приложений».
