Колишній генеральний директор Intel Пат Гелсінгер підтримав нову революційну технологію оперативної пам’яті, яка має подолати глобальну кризу та дефіцит чипів у довгостроковій перспективі.
Колишній генеральний директор Intel Пат Гелсінгер підтримав нову революційну технологію оперативної пам’яті, яка має подолати глобальну кризу та дефіцит чипів у довгостроковій перспективі.
Зараз ринок оперативної пам’яті та накопичувачів перебуває в глибокій кризі, що призвело до високих цін на комплектуючі для будь-якої споживчої електроніки. Провідні виробники, зокрема Samsung та SK Hynix, зазначають, що ситуація навряд чи покращиться в найближчі кілька років. На цьому тлі стартап Nagare Labs, створений науковцями з Технологічного інституту Джорджії, залучив $5 млн інвестицій від венчурного фонду Playground Global (де Гелсінгер є генеральним партнером) і вийшов із режиму секретності, повідомляє Neowin.
Розробка стартапу під назвою Z2RAM має на меті поєднати найкращі властивості трьох ключових типів пам’яті:
швидкість SRAM, що використовується в кеш-пам’яті процесорів);
щільність DRAM (системна оперативна пам’ять);
масштабованість NAND Flash (SSD-накопичувачі) з можливістю 3D-компонування шарів.
На відміну від класичної DRAM, де для збереження одного біта інформації потрібні транзистор і конденсатор, Z2RAM використовує два транзистори. Це дозволяє прибрати окремий фізичний конденсатор і робить зчитування даних «неруйнівним» (пам’ять не потребує постійного перезапису після кожного читання).
Завдяки використанню оксидних напівпровідників та 3D-гібридного з'єднання, Nagare Labs обіцяє збільшити щільність збереження даних більш ніж у 5 разів порівняно зі стандартною SRAM. Наприклад, на площі, де раніше розміщувалося 64 МБ SRAM, Z2RAM дозволить вмістити до 320 МБ.
Головним цільовим ринком для Z2RAM є сфери штучного інтелекту та ШІ-прискорювачі, де пропускна здатність і обсяг пам’яті стали основними «вузькими місцями». За оцінками фахівців, використання Z2RAM потенційно може скоротити кількість необхідних чипів для обробки великих мовних моделей у 5 і більше разів.
Попри оптимізм Пата Гелсінгера, технологія знаходиться на початковій стадії лабораторних прототипів. Перед стартапом стоїть низка складних інженерних завдань:
забезпечення надійності оксидних напівпровідників;
відсутність єдиного промислового стандарту інтерфейсу для інтеграції такої пам’яті з прискорювачами;
пошук R&D-фабрики для виходу за межі університетської лабораторії.
Компанія планує створити перші робочі зразки протягом 4 років, а масове комерційне виробництво може розпочатися лише через 10 років. Тому розробка Z2RAM спрямована на майбутнє ШІ-інфраструктури й не зможе вирішити поточний дефіцит споживчої оперативної пам’яті у найближчі роки.
