Компанія Samsung оголосила про дві нові карти пам’яті microSD: SD Express microSD на 256 ГБ, швидкість якої в чотири рази перевищує теперішні карти, та microSD UHS-1 місткістю 1 ТБ на основі новітньої технології V-NAND.
Компанія Samsung оголосила про дві нові карти пам’яті microSD: SD Express microSD на 256 ГБ, швидкість якої в чотири рази перевищує теперішні карти, та microSD UHS-1 місткістю 1 ТБ на основі новітньої технології V-NAND.
Компанія розпочала тестування карти пам’яті SD Express microSD на 256 ГБ зі швидкістю зчитування даних до 800 МБ/с — у 1,4 раза швидше, ніж у SATA SSD (до 560 МБ/с) і понад у чотири рази швидше, ніж у традиційних карт пам’яті UHS-1 (до 200 МБ/с), говориться у пресрелізі.
Щоб забезпечити стабільну продуктивність і надійність для малого формфактора, технологія Dynamic Thermal Guard (DTG) підтримує оптимальну температуру для карти SD Express microSD навіть під час тривалих сеансів використання.
SD Express на 256 ГБ буде доступна для придбання пізніше цього року.
microSD UHS-1 містить вісім рівнів V-NAND 8-го покоління місткістю 1 ТБ, що раніше було можливо лише на SSD. Як повідомляє компанія, нова карта пройшла найсуворіше тестування і забезпечує роботу навіть у складних умовах, завдяки таким характеристикам, як захист від води, екстремальних температур, захист від падінь і зносу, а також захист від рентгенівського випромінювання та магнітного поля.
Карта microSD UHS-1 на 1 ТБ буде випущена в третьому кварталі цього року.
«Завдяки двом новим картам пам’яті microSD компанія Samsung запропонувала ефективні рішення для задоволення зростаючих потреб мобільних обчислень і вбудованого штучного інтелекту», — сказав Хангу Сон, віцепрезидент підрозділу Memory Brand Product компанії Samsung Electronics. «Попри свій крихітний розмір, ці карти пам’яті забезпечують потужну продуктивність і місткість, подібну до твердотільних накопичувачів, щоб допомогти користувачам отримати більше від вимогливих сучасних і майбутніх застосунків».
