TSMC і Тайванський науково-дослідний інститут промислових технологій (ITRI) оголосили, що спільно розробили мікросхему масиву магнітної пам’яті з довільним обертальним моментом (SOT-MRAM). Вона має низку переваг над DRAM і 3D TLC NAND і може використовуватися у високопродуктивних обчисленнях (HPC), штучному інтелекті (AI) й автомобільних мікросхемах.
TSMC і Тайванський науково-дослідний інститут промислових технологій (ITRI) оголосили, що спільно розробили мікросхему масиву магнітної пам’яті з довільним обертальним моментом (SOT-MRAM). Вона має низку переваг над DRAM і 3D TLC NAND і може використовуватися у високопродуктивних обчисленнях (HPC), штучному інтелекті (AI) й автомобільних мікросхемах.
SOT-MRAM може похизуватися енергонезалежністю, низькими затримками та енергоспоживанням, що становить 1% від енергоспоживання MRAM зі спін-орбітальним моментом перенесення (STT), пише Tom’s Hardware.
Теоретично, SOT-MRAM має безліч переваг, які роблять її цікавою для використання в кеш-пам’яті та додатків у пам’яті. SOT-MRAM потенційно може запропонувати вищу щільність, ніж SRAM, яка ледве масштабується за допомогою новітніх технологій виробництва.
Вона також не споживає енергії, коли не використовується (на відміну від SRAM), що вигідно як для центрів обробки даних, так і для додатків з живленням від батарей. Теоретично SOT-MRAM здатна витримувати затримки до 10 нс, що, безумовно, повільніше, ніж SRAM (затримки читання і запису SRAM зазвичай знаходяться в діапазоні 1–2 нс), але трохи швидше, ніж DRAM (DDR5 має затримку близько 14 мс) і значно швидше, ніж 3D TLC NAND (яка має затримки читання від 50 до 100 мікросекунд).
«Ця елементарна комірка забезпечує одночасне низьке енергоспоживання та високошвидкісну роботу, досягаючи швидкості 10 нс. Її загальну обчислювальну продуктивність можна ще більше підвищити, якщо інтегрувати її з обчисленнями при проєктуванні схем пам’яті. У перспективі ця технологія має потенціал для застосування у високопродуктивних обчисленнях (HPC), штучному інтелекті (AI), автомобільних мікросхемах тощо», — сказав д-р Ши-Чі Чанг, генеральний директор Лабораторії досліджень електронних та оптоелектронних систем в ITRI.
Хоча SOT-MRAM має нижчий рівень енергоспоживання в режимі очікування, ніж SRAM, вона потребує високих струмів для операцій запису, тому її динамічне енергоспоживання все ще досить високе. Крім того, комірки SOT-SRAM все ще більші, ніж комірки SRAM, і їх складніше виготовляти. У результаті, хоча технологія SOT-SRAM виглядає перспективно, навряд чи вона зможе замінити SRAM найближчим часом.
Проте, для обчислювальних додатків в пам’яті SOT-MRAM може мати сенс, якщо не зараз, то коли TSMC навчиться робити SOT-MRAM економічно ефективною.
